安川電機は、独自の電気自動車（ＥＶ）用モータドライブ「ＱＭＥＴドライブ」にＳｉＣ（シリコンカーバイド）を採用した「ＳｉＣ―ＱＭＥＴ」を開発した。
ロームが新規開発したＳｉＣ―トレンチＭＯＳＦＥＴとＳｉＣ―ＳＢＤ（ショットキーバリアダイオード）などのデバイス技術と、安川のドライブ技術を融合させた新しいコンセプトのＥＶ用モータドライブである。
「ＳｉＣ―ＱＭＥＴ」は、安川独自の電子式巻線切り替え技術を搭載した「ＱＭＥＴドライブ」をベースに、従来の電子式巻線切替で用いていたモータ内蔵のシリコン製ＩＧＢＴとダイオードをＳｉＣに置き換えるとともに、ＳｉＣの高温動作特性を活かし、モータの冷却構造の簡素化と小型化、更なる高効率化を実現。
また、モータ駆動用のインバータの主回路も全てＳｉＣ化し、大幅な小型化・高効率化を実現している。これにより、モータの電子式巻線切替部の体積及びインバータの体積を従来の２分の１以下とし、変換効率を２％向上している。
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