女性の活躍を会社トップが推進！——河村電器産業（愛知県瀬戸市）は、人材の確保と育成・活用に結び付けるため、“女性の活躍”と“働き方改革”を推進するトップ直属の「女性活躍推進委員会」を設置した。 国内環境において、少子高齢化が進み、労働人口が減少する中、女性の活用により、経営における「事業の拡大、業務の効率化」を図るため、同委員会を設置することにした。 河村幸俊代表取締役会長が委員長に就任して、①全体計画の策定・進捗管理などを行う推進計画プロジェクト②全社的な各施策や規程制度の見直しなどを検討する女性活躍プロジェクト③営業部門における女性活躍のための「環境整備」「働き方」について検討するワーキ…

富士電機は、世界最高レベルの低抵抗を実現し、パワエレ機器の大幅な省エネに寄与するパワー半導体「トレンチゲート構造SiC-MOSFET（電界効果トランジスタ）」を開発した。2017年度中をめどに、SiC-MOSFETとSiC-SBD（ショットキーバリアダイオード）で構成するオールSiCモジュールとして製品化するとともに、同社製パワエレ機器に搭載し、さらなる製品競争力の強化を図る。 パワー半導体はウェハにトランジスタを形成するが、その形成方法は「プレーナーゲート構造」と「トレンチゲート構造」があり、電流経路を水平方向に作るプレーナーゲート構造に対し、トレンチゲート構造はウェハに溝（トレンチ）を掘り…