パワー半導体 の検索結果

富士電機 パワー半導体、最高水準の低損失性能

富士電機は、パワー半導体の新製品として、最新の第7世代パワー半導体素子を搭載し、損失を大幅に低減させた「XシリーズIGBT-IPM」を発売した。自動化が進む日本国内・中国などを中心に、グローバルに展開していく。 IGBT-IPMは、過電流や過熱などによる故障を防ぐ自己保護機能を搭載したIGBTモジュールで、高い信頼性が求められるNC工作機械や産業用ロボットなどに広く採用されている。 新製品は、素子の厚みを薄くし表面構造を微細化することで、業界最高クラスの低損失性能を実現した最新の第7世代IGBT素子を搭載。高温条件下でスイッチング速度が低下しないよう制御し、電力損失を低減する。従来品と比べてイ…


三菱電機「大容量パワー半導体モジュール」業界最大 定格電流600A実現

三菱電機は、電鉄・電力などの大型産業機器向け大容量パワー半導体モジュールの新製品として、高絶縁耐圧でマルチレベル回路にも対応可能な「HVIGBTモジュールXシリーズdualタイプHV100」2品種(450A/600A)のサンプル提供を、4月から順次開始する=写真。 新製品は、耐電圧3.3kV、絶縁耐圧10kVrmsの高電流密度dualタイプにおいて、業界最大の定格電流600Aを実現。大型産業機器向けの多様なインバータの高出力・高効率化と、システムの信頼性向上に貢献する。CSTBTTM構造を採用した第7世代IGBT・RFCダイオードの搭載によって、600A品は、Siモジュールとして業界最大となる…


三菱電機 パワー半導体サンプル提供

三菱電機は、車載充電器や太陽光発電機など、高電圧での電力変換を必要とする電源システム向けに、パワー半導体「SiC-MOSFET1200V-NシリーズTO-247-4パッケージ」=写真=のサンプル提供を11月から開始。 新製品は、SiC-MOSFETチップを、ドライバソース端子を備えた4端子のTO-247-4パッケージに搭載することにより、これまで高速スイッチング時の課題だったソース端子での寄生インダクタンスを低減させてゲート電圧の低下を抑制。従来品と比べて、スイッチング損失を約30%低減させている。この低減によって放熱機器の小型・簡素化や、高キャリア周波数駆動によるリアクトルなどの周辺部品の小…


三菱電機 新製造拠点を開設、パワー半導体製品の需要拡大に対応

三菱電機は、パワー半導体製品を製造するパワーデバイス製作所の新たな製造拠点(ウエハプロセス工程)を開設する。   新製造拠点は、シャープから福山事業所(広島県福山市)の一部の土地と建屋などを取得するもので、既存設備の取得と今後の設備投資も含めて、投資金額は約200億円となる。   パワー半導体製品は、世界的な省エネや環境保護志向の高まり、各国における自動車の電動化政策によって、電力を効率良く制御するパワーデバイス半導体製品の需要が増加している。この需要の増加に対応するため、同社では生産能力を拡大し、パワーデバイス事業のさらなる拡大を目指すとしている。   延床面積は約4万6500平方メートル(…


三菱電機 パワー半導体新製品、サンプル提供開始

三菱電機は、車載充電器や太陽光発電などの高電圧での電力変換を必要とする電源システム向けに、パワー半導体の新製品「SiC-MOSFET 1200V-Nシリーズ」6品種のサンプルを7月から提供開始する。 近年、省エネや環境保護の観点から、電力損失の大幅低減が可能なSiCパワー半導体への期待が高まっている。 新製品は、新開発のSiC-MOSFETを搭載することで、低オン抵抗と低スイッチング損失を両立し、業界最高水準という性能指数を実現。従来のSi-IGBT品と比較して、電力損失を約85%低減している。 また、一般的なSiC-MOSFETの課題である誤動作耐量を、他社同等品比で約14倍改善。高速スイッ…


三菱電機 半導体・デバイス第一事業部長 山崎氏に聞く、急伸するパワー半導体

三菱電機 半導体・デバイス事業本部 執行役員 半導体・デバイス第一事業部長 山崎大樹氏に聞く IGBT、IPMで世界を牽引 世界的にCO2削減や省エネに向けた制御の高度化が強く叫ばれるなか、そのキーデバイスとなるパワー半導体が活況だ。エネルギーを効率よく使うための電源制御に特化し、産業機器や家電、車載などで需要が急拡大している。 三菱電機はパワー半導体のトップメーカーのひとつで、特にIGBTに強みを持つ。三菱電機 半導体・デバイス事業本部 山崎大樹執行役員 半導体・デバイス第一事業部長に話を聞いた。   世界的に強い追い風に乗る –パワー半導体市場の市況について 半導体の…


三社電機 パワー半導体 大容量タイプ追加

三社電機製作所(大阪市東淀川区)は、パワー半導体の新製品として、ダイオード/サイリスタモジュール高放熱(高信頼性)モデルに大容量タイプ(電流容量240A)を開発し、8月から受注を開始した。 新製品は、セラミック基板に銅回路板を直接接合(DCB)したDCB回路基板の採用により低背積層化が可能となり、高放熱化(低熱抵抗化)を実現。従来の160A/200A品と同一形状でありながら、240Aの電流容量を持つ。 また、チップに両面はんだ接合を行うことによる相乗効果で、長期信頼性を向上。さらに、独自のゲート構造採用により、サイリスタ部のdi/dt耐量、雷サージ耐量向上に成功している。 同社では、得意とする…


富士電機 パワー半導体 世界最高レベルの低抵抗

富士電機は、世界最高レベルの低抵抗を実現し、パワエレ機器の大幅な省エネに寄与するパワー半導体「トレンチゲート構造SiC-MOSFET(電界効果トランジスタ)」を開発した。2017年度中をめどに、SiC-MOSFETとSiC-SBD(ショットキーバリアダイオード)で構成するオールSiCモジュールとして製品化するとともに、同社製パワエレ機器に搭載し、さらなる製品競争力の強化を図る。 パワー半導体はウェハにトランジスタを形成するが、その形成方法は「プレーナーゲート構造」と「トレンチゲート構造」があり、電流経路を水平方向に作るプレーナーゲート構造に対し、トレンチゲート構造はウェハに溝(トレンチ)を掘り…


安川電機 サーボモータ 世界初 GaNパワー半導体採用

安川電機は、ACサーボドライブΣ-7(シグマ・セブン)シリーズに、世界で初めてGaN(窒化ガリウム)パワー半導体を搭載したアンプ内蔵サーボモータ「Σ-7Fモデル」を5月23日から発売した。価格はオープン。 体積比5割の小型化実現 新製品は、低損失なGaNパワー半導体採用で、高周波駆動でもアンプ部とモータ部の損失を低減し、入出力を高効率化。GaN材料を使用したパワー半導体は、Si半導体と比較して高温での動作が可能で絶縁破壊電界強度が高いうえ、SiCパワー半導体より飽和電子移動度および電子移動度が高いなど、高速スイッチング性能の面を含む優位性からパワー半導体としての応用が大いに期待されている。 ま…


日本スペリア 新接合材 「アルコナノ銀ペースト」 SⅰCパワー半導体など接合が可能

日本スペリア社の「アルコナノ銀ペースト」は、ナノサイズの銀粒子を溶剤に安定分散させた接合材料で、未処理の銅基材に直接接合をできることから、工程数が省け、低コスト、環境に優しく使い勝手がよいなどの特徴を有する。 また、接合特性として250℃での接合ができるのも大きな特徴で、熱負荷による強度劣化を加圧焼成によって大幅に抑制できるなど耐熱性にも優れている。 焼結後は耐熱性や熱伝導性をはじめとする理想的な特性を発揮し、高い接合信頼性を確保できる。 この特性により、従来のはんだ材料では困難だった炭化ケイ素(SⅰC)などを使用したパワー半導体での接合を可能にする画期的な材料として注目されている。 SⅰCパ…