パワー半導体 の検索結果

三菱電機 半導体・デバイス第一事業部長 山崎氏に聞く、急伸するパワー半導体

三菱電機 半導体・デバイス事業本部 執行役員 半導体・デバイス第一事業部長 山崎大樹氏に聞く IGBT、IPMで世界を牽引 世界的にCO2削減や省エネに向けた制御の高度化が強く叫ばれるなか、そのキーデバイスとなるパワー半導体が活況だ。エネルギーを効率よく使うための電源制御に特化し、産業機器や家電、車載などで需要が急拡大している。 三菱電機はパワー半導体のトップメーカーのひとつで、特にIGBTに強みを持つ。三菱電機 半導体・デバイス事業本部 山崎大樹執行役員 半導体・デバイス第一事業部長に話を聞いた。   世界的に強い追い風に乗る –パワー半導体市場の市況について 半導体の…


三社電機 パワー半導体 大容量タイプ追加

三社電機製作所(大阪市東淀川区)は、パワー半導体の新製品として、ダイオード/サイリスタモジュール高放熱(高信頼性)モデルに大容量タイプ(電流容量240A)を開発し、8月から受注を開始した。 新製品は、セラミック基板に銅回路板を直接接合(DCB)したDCB回路基板の採用により低背積層化が可能となり、高放熱化(低熱抵抗化)を実現。従来の160A/200A品と同一形状でありながら、240Aの電流容量を持つ。 また、チップに両面はんだ接合を行うことによる相乗効果で、長期信頼性を向上。さらに、独自のゲート構造採用により、サイリスタ部のdi/dt耐量、雷サージ耐量向上に成功している。 同社では、得意とする…


富士電機 パワー半導体 世界最高レベルの低抵抗

富士電機は、世界最高レベルの低抵抗を実現し、パワエレ機器の大幅な省エネに寄与するパワー半導体「トレンチゲート構造SiC-MOSFET(電界効果トランジスタ)」を開発した。2017年度中をめどに、SiC-MOSFETとSiC-SBD(ショットキーバリアダイオード)で構成するオールSiCモジュールとして製品化するとともに、同社製パワエレ機器に搭載し、さらなる製品競争力の強化を図る。 パワー半導体はウェハにトランジスタを形成するが、その形成方法は「プレーナーゲート構造」と「トレンチゲート構造」があり、電流経路を水平方向に作るプレーナーゲート構造に対し、トレンチゲート構造はウェハに溝(トレンチ)を掘り…


安川電機 サーボモータ 世界初 GaNパワー半導体採用

安川電機は、ACサーボドライブΣ-7(シグマ・セブン)シリーズに、世界で初めてGaN(窒化ガリウム)パワー半導体を搭載したアンプ内蔵サーボモータ「Σ-7Fモデル」を5月23日から発売した。価格はオープン。 体積比5割の小型化実現 新製品は、低損失なGaNパワー半導体採用で、高周波駆動でもアンプ部とモータ部の損失を低減し、入出力を高効率化。GaN材料を使用したパワー半導体は、Si半導体と比較して高温での動作が可能で絶縁破壊電界強度が高いうえ、SiCパワー半導体より飽和電子移動度および電子移動度が高いなど、高速スイッチング性能の面を含む優位性からパワー半導体としての応用が大いに期待されている。 ま…


日本スペリア 新接合材 「アルコナノ銀ペースト」 SⅰCパワー半導体など接合が可能

日本スペリア社の「アルコナノ銀ペースト」は、ナノサイズの銀粒子を溶剤に安定分散させた接合材料で、未処理の銅基材に直接接合をできることから、工程数が省け、低コスト、環境に優しく使い勝手がよいなどの特徴を有する。 また、接合特性として250℃での接合ができるのも大きな特徴で、熱負荷による強度劣化を加圧焼成によって大幅に抑制できるなど耐熱性にも優れている。 焼結後は耐熱性や熱伝導性をはじめとする理想的な特性を発揮し、高い接合信頼性を確保できる。 この特性により、従来のはんだ材料では困難だった炭化ケイ素(SⅰC)などを使用したパワー半導体での接合を可能にする画期的な材料として注目されている。 SⅰCパ…


日本スペリア社 アルコナノ銀ペーストと津山工場 次世代パワー半導体対応

日本スペリア社は、SiC素子など、高温動作のため既存のはんだが使えない次世代パワー半導体にも使用できる新素材「アルコナノ銀ペースト」を一貫生産できるラインを同社津山工場に導入した。月間500キロの製造を目指す。 同製品は同社子会社の「応用ナノ粒子研究所」が開発。他の同種の製品と異なり、ナノサイズの銀粒子の被覆膜にアルコール由来のものを使用。 そのため、無垢の銅基材にも直接接合が可能で、工程数が省けて低コスト、しかも環境に優しく使い勝手がいいという高い評価を受けており、ハイパワーLED、パワーモジュール用途への引き合いが増え、2016年3月期の売り上げは昨年比数量ベースで約3倍となっている。 量…


富士電機 パワー半導体を発売 省エネと信頼性向上

富士電機はパワー半導体として、スーパージャンクションMOSFET「Super J MOS S2/S2FDシリーズ」を発売した。 S2シリーズは、従来製品(S1シリーズ)との同一チップ面積比較で、通電時の抵抗を約25%低減し、搭載機器の省エネと電力コスト削減に貢献、内蔵ダイオードを高速化しスイッチング損失を低減する。 S2FDシリーズは、内蔵ダイオードのスイッチングオフ時にかかる時間(リカバリータイム)がS2シリーズと比べ、約50%短縮、内蔵ダイオードが使われるインバータ回路に適用すると、スイッチング動作時の損失を低減し、スイッチング時、瞬間的に生じる大電圧(サージ電圧)も抑制、搭載機器の省エネ…


ルネサスエレクトロニクス パワー半導体開発 第8世代IGBT G8Hシリーズ」の販売を開始 電力変換損失を極小化

ルネサスエレクトロニクスは、太陽光発電のパワーコンディショナやUPS(無停電電源)システムのインバータ用途向けのパワー半導体として、電力変換損失を極小化し、システムの電力効率を向上する第8世代IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor:絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)の「G8Hシリーズ」の販売を開始した。 太陽光発電のパワーコンディショナや、UPSシステムに搭載されるインバータ回路用途の最適化に向け、プロセス構造に独自のトレンチゲート構造を採用。IGBT性能指標となる高速スイッチング特性の向上と、飽和電圧Vce(sat)の低下による導通損失の低減を両立した…


安川電機 GaNパワー半導体搭載アンプ内蔵サーボモータ開発 小型・高効率を実現

安川電機は、GaN(窒化ガリウム)パワー半導体を搭載したアンプ内蔵サーボモータを世界で初めて開発。2017年までの製品化を目指す。 サーボドライブシステムのサーボパックの機能とサーボモータを一体化。低損失動作のGaNパワー半導体と、振動に強い受動部品、3次元の高密度部品実装によりアンプ部筐体を小型化。従来のサーボパックのアンプ部に比べて体積比で4分の1。また自然空冷をベースとした冷却技術で、小型と高効率を両立している。この結果、サーボドライブシステムの損失を12%低減。可聴周波数域を超えた高周波駆動による静音化や、回生エネルギーを他のモータでドライブエネルギーとして使えるなど省エネにも貢献する…


富士電機 パワー半導体「Xシリーズ」1GBモジュールのサンプル出荷を開始

富士電機は、パワー半導体の新製品として、第7世代「Xシリーズ」IGBTモジュールのサンプル出荷を8月から開始した。定格電圧は650、1200、1700Vの3機種。 新製品は、IGBT素子およびダイオード素子の厚みを薄くし微細化することで、素子構造を最適化。これにより、従来製品(同社第6世代「Vシリーズ」)に比べてインバータ動作時の電力損失を低減し、搭載機器の省エネと電力コスト削減に貢献する。 また、新たに開発した絶縁基板を適用し、モジュールの放熱性を向上。電力損失低減と併せて発熱を抑制することで、従来モジュールに比べて約36%の小型化を達成している。 さらに連続動作時の最大保証温度を従来の15…