三菱電機 2・0kVパワー半導体開発 DC1500V電力変換機器向に最適

三菱電機は、パワー半導体の新製品として「産業用2・0kV IGBT モジュールTシリーズ」を6月30 日に発売する。サンプル価格は3万74

新製品は、従来の1・7kV耐電圧の製品では対応困難であったDC1500V電力変換機器向けに、IGBTモジュールとして業界初の2・0kV耐電圧に対応しており、再生可能エネルギー電源などに適している。

また、3レベルNPC回路(Iタイプ結線)などの複雑で部品点数が多い回路構成を不要とした機器設計が可能で、電力変換機器の簡素化・小型化に貢献。

さらに、独自のCSTBT構造を採用した第 7世代IGBT、および独自のRFCダイオードを高耐電圧仕様にそれぞれ最適化し、トレードオフ関係にある高電圧動作対応と低電力損失を両立することで、電力変換機器の低消費電力化にもつながる。

https://www.mitsubishielectric.co.jp/

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