日本ガイシは、愛知件小牧市のNGKセラミックデバイスとNGKエレクトロデバイスマレーシアに50億円を投資して設備を増強し、パワー半導体モジュール向けの絶縁放熱回路基板の生産能力を増強する。2026年度までに月間生産能力を現在の約2.5倍に引き上げる。供給能力の向上により、今後市場拡大が見込まれる車載用途などの需要を着実に取り込み、2030年度に売上高200億円を目指す。
絶縁放熱回路基板は、モーターの駆動制御や発電機などの電力変換を行うパワー半導体搭載部品（パワー半導体モジュール）に使われる製品。パワー半導体が駆動する際に発生する熱を逃がすことで、安定駆動させる役割を担う。窒化ケイ素製の絶縁放熱回路基板は、電気自動車（EV）やハイブリッド車（HEV）のモーター制御用のインバーターなどに使われており、大電力による高温環境下でも安定した動作が要求される炭化ケイ素（SiC）製のパワー半導体への採用が増えており、同社製品は2019年から欧州・日本のパワー半導体メーカー数社で採用されている。
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