
三菱電機は、SiCパワー半導体の生産体制強化に向けた新工場棟の建設をはじめ、パワーデバイス事業における2021年度から2025年度までの累計設備投資を従来計画から倍増させ、約2600億円を投資する。
同社は今回、SiCウエハについて約1000億円を投資して新工場棟の建設と設備増強を実施する。この新工場棟は、熊本県泗水地区に有する拠点を活用し、大口径化(8インチ)に対応するとともに、最先端の省エネ性能を有するクリーンルームを導入し、徹底した自動化によって高い生産効率を実現する。また、市場の旺盛な需要に対応するため6インチウエハ製品の生産設備も増強し、さらなる事業拡大を目指す。
この他、約100億円を投資してパワー半導体の後工程の新工場棟を福岡地区に建設し、同地区内に点在する組み立て・検査工程を集約する。