富士電機は、山梨大学と取り組んだパワー半導体素子技術「スーパージャンクション」の理論構築の功績が、一般社団法人電気学会が選定する第 17 回「でんきの礎」として顕彰された。
スーパージャンクションは、耐圧特性を維持しながら MOSFETのオン抵抗を一桁以上低減できる素子技術。スーパージャンクション MOSFETは、パソコンやテレビの電源向けを中心に採用され、Si材料による製品の市場規模は約2000億円に上り、近年はSiC（シリコンカーバイド）に適用するための研究も進み、パワエレ機器の高効率化や小型化、省エネをリードする学界・産業界への貢献を評価された。
https://www.fujielectric.co.jp/about/notice/detail/__icsFiles/afieldfile/2024/03/19/20240319_1.pdf
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