三菱電機は、車載充電器や太陽光発電機など、高電圧での電力変換を必要とする電源システム向けに、パワー半導体「SiC-MOSFET1200V-NシリーズTO-247-4パッケージ」＝写真＝のサンプル提供を11月から開始。
新製品は、SiC-MOSFETチップを、ドライバソース端子を備えた4端子のTO-247-4パッケージに搭載することにより、これまで高速スイッチング時の課題だったソース端子での寄生インダクタンスを低減させてゲート電圧の低下を抑制。従来品と比べて、スイッチング損失を約30％低減させている。この低減によって放熱機器の小型・簡素化や、高キャリア周波数駆動によるリアクトルなどの周辺部品の小型化により、システム全体の低消費電力化と小型化に貢献する。
品種は、車載電子部品の品質規格AEC-Q101に準拠した3品種を含む、計6品種をラインアップ。ドレイン端子とソース端子間の沿面距離の拡大により、塵や埃が積もりやすい屋外設置向けなど沿面距離が求められる電源システムにも対応する。
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