富士電機は、開発ストーリーに「日本が世界をリードする次世代半導体「GaN」 技術革新をけん引するオールジャパン研究チーム3人のチャレンジ」を公開した。
次世代のパワー半導体材料として注目されるGaN（窒化ガリウム）について、同社は国家プロジェクトも活用し研究開発を進め、世界をリードしようとしている。試行錯誤を重ねてGaNパワー半導体の製品化に挑む開発者たちの取り組みを紹介している。
https://www.fujielectric.co.jp/about/stories/detail/PJ_story_GaN.html
