三菱電機 高耐圧フルSiC開発 機器の小型・省エネ化に貢献

2018年2月14日

三菱電機は、独自の1チップ構造と新パッケージの採用により世界最高の定格出力密度を実現した6.5kV耐圧フルSiC(炭化ケイ素)パワー半導体モジュールを開発した。 高耐圧が求められる鉄道・電力向けパワーエレクトロニクス機器の小型化・省エネに貢献する。 新開発のパワー半導体モジュールは、ダイオードを内蔵した独自開発のMOSFETにより、MOSFETとダイオードを別々にモジュールに搭載した従来に比べて面積を半減した。また、小さい体積で大きな電流を流すとチップから発生する熱が増大することからパッケージ発熱対策として部材メーカー4社との連携により、優れた熱伝導性と耐熱性を両立する絶縁基板と、信頼性の高い…