ルネサスエレクトロニクスは、太陽光発電のパワーコンディショナやUPS（無停電電源）システムのインバータ用途向けのパワー半導体として、電力変換損失を極小化し、システムの電力効率を向上する第8世代IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor：絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ）の「G8Hシリーズ」の販売を開始した。
太陽光発電のパワーコンディショナや、UPSシステムに搭載されるインバータ回路用途の最適化に向け、プロセス構造に独自のトレンチゲート構造を採用。IGBT性能指標となる高速スイッチング特性の向上と、飽和電圧Vce（sat）の低下による導通損失の低減を両立した。従来の第7世代IGBTと比べ、性能指数が最大30％改善、無駄な電力損失を削減し、ユーザシステムの電力効率の向上に貢献する。新製品は、650V／40A、50A、75Aと1250V／25A、40A、75Aの計6製品で、さまざまなインバータ回路方式、出力容量に応じて製品を選択することが可能。サンプル出荷を3月10日から順次開始、サンプル価格は650V／50Aの「RBN50H65T1GPQ-A0」が330円／個（税別）。量産は2016年9月から開始し、17年3月には月産60万個を目指す。
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