ロームはこのほど、世界で初めて１ｍΩ／平方ｃｍ以下のオン抵抗を実現した、超低損失ＳｉＣ（炭化ケイ素）トレンチＭＯＳＦＥＴを開発した。２０１３年度中をメドに実用化を目指す。
今回、開発した超低損失ＳｉＣトレンチＭＯＳＦＥＴは、基板薄化と微細化、チャネル移動度の向上に加え、独自のダブルトレンチ構造の採用により、超低オン抵抗と高耐圧の両立に成功。６００Ｖで０・79ｍΩ／平方ｃｍ、１２００Ｖで１・41ｍΩ／平方ｃｍという世界最小の超低オン抵抗を実現した。
これは、従来のＳｉ（ケイ素）―ＭＯＳＦＥＴに比べて20分の１以下、量産化されているＳｉＣデバイスに比べて７分の１以下のオン抵抗となる。
一般的に、電力を発電してから各種機器で消費するまでの間に多くの電力変換が繰り返され、この間に多い場合で50％もの電力が失われるとされる。こうした電力損失を大幅に減らすキーデバイスとして期待されているのがＳｉＣパワーデバイスである。
従来のＳｉ半導体をすべてＳｉＣ半導体に置き換えた場合、省エネ効果は日本国内だけで原発４基分に相当するとの試算も出ている。
同社は環境問題に対応するため、すでにＳｉＣＳＢＤやＳｉＣ―ＤＭＯＳＦＥＴなどを量産しているが、さらなる低損失化を実現するため、13年度中を目途にＳｉＣトレンチＭＯＳＦＥＴの実用化を目指す。
同ＭＯＳＦＥＴの採用により、電力送電網の電力変換から、パソコンやデジタル家電の電源、冷蔵庫やエアコンのインバータ、電気自動車（ＥＶ）、鉄道車両など、あらゆる電力変換器で発生している電力損失（導通損失）を20分の１以下に大幅低減するものとして期待される。特にＥＶの場合、インバータ部分の小型化に加え、周辺部品の小型化、冷却機構の簡素化なども図れるので、走行距離の大幅改善が見込めるという。
同社では、ＳｉＣデバイス事業を次世代半導体事業の中核技術の一つとして位置付けており、ＤＭＯＳＦＥＴやＳＢＤのさらなる高耐圧化、大電流化製品のラインアップ強化のほか、ＳｉＣトレンチＭＯＳＦＥＴや、ＳｉＣデバイスを搭載したＩＰＭ（インテリジェント・パワー・モジュール）など、ＳｉＣ関連製品のラインアップ拡充と量産化を進める方針である。
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