- 2024年4月8日
富士電機、パワー半導体素子技術「スーパージャンクション」の理論構築の功績が電気学会から顕彰
富士電機は、山梨大学と取り組んだパワー半導体素子技術「スーパージャンクション」の理論構築の功績が、一般社団法人電気学会が選定する第 17 回「でんきの礎」として顕彰された。スーパージャンクションは、耐圧特性を維持しながら MOSFETのオン抵抗を一桁 […]
富士電機は、山梨大学と取り組んだパワー半導体素子技術「スーパージャンクション」の理論構築の功績が、一般社団法人電気学会が選定する第 17 回「でんきの礎」として顕彰された。スーパージャンクションは、耐圧特性を維持しながら MOSFETのオン抵抗を一桁 […]
ロームは、大電力を扱う車載電装機器・産業機器向けに、車載信頼性規格「AEC-Q101」に準拠した650V耐圧のSiCショットキーバリアダイオード内蔵IGBT 「RGWxx65Cシリーズ」の販売を開始した。 新製品は、IGBTの帰還部(還流ダイオード) […]
ロームは、大電力を扱う車載電装機器・産業機器向けに、車載信頼性規格「AEC-Q101」に準拠した650V耐圧のSiCショットキーバリアダイオード内蔵IGBT 「RGWxx65Cシリーズ」の販売を開始した。 新製品は、IGBTの帰還部(還流ダイオード) […]
ロームは、大電力を扱う車載電装機器・産業機器向けに、車載信頼性規格「AEC-Q101」に準拠した650V耐圧のSiCショットキーバリアダイオード内蔵IGBT 「RGWxx65Cシリーズ」の販売を開始した。 新製品は、IGBTの帰還部(還流ダイオード) […]
富士電機はパワー半導体として、スーパージャンクションMOSFET「Super J MOS S2/S2FDシリーズ」を発売した。 S2シリーズは、従来製品(S1シリーズ)との同一チップ面積比較で、通電時の抵抗を約25%低減し、搭載機器の省エネと電力コス […]
ロームはこのほど、サーバー電源・産業機械・省エネ家電などの電源やPFC回路向けに、MOSFETとIGBT両方の特性を持つ高耐圧新型トランジスタ「Hybrid MOS」を開発。大電流時から小電流時までフルレンジでの省エネ化が可能なトランジスタとして、今 […]