ローム IGBTの新製品を開発 従来品比67%の低損失化

ロームは、大電力を扱う車載電装機器・産業機器向けに、車載信頼性規格「AEC-Q101」に準拠した650V耐圧のSiCショットキーバリアダイオード内蔵IGBT 「RGWxx65Cシリーズ」の販売を開始した。

新製品は、IGBTの帰還部(還流ダイオード)に、同社の低損失SiC ショットキーバリアダイオード(SiC SBD)を採用したハイブリッド型で、従来品のIGBT に比べON時のスイッチング損失(ターンオン損失)を大きく削減しており、例えば車載充電器に搭載した場合、従来品IGBT比67%の低損失化を実現している。

また、スーパージャンクションMOSFET(SJ-MOSFET) 比でも24%の低損失化を達成しており、コストパフォーマンス良く車載・産業機器アプリケーションの低消費電力化に貢献する。

なお、同製品は2021年3月からサンプル出荷(サンプル価格1個1200円)を開始しており、21年12月から当面月産2万個の体制で量産を開始する予定。

https://www.rohm.co.jp/

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