富士電機 パワー半導体 世界最高レベルの低抵抗

2017年7月12日

富士電機は、世界最高レベルの低抵抗を実現し、パワエレ機器の大幅な省エネに寄与するパワー半導体「トレンチゲート構造SiC-MOSFET(電界効果トランジスタ)」を開発した。2017年度中をめどに、SiC-MOSFETとSiC-SBD(ショットキーバリアダイオード)で構成するオールSiCモジュールとして製品化するとともに、同社製パワエレ機器に搭載し、さらなる製品競争力の強化を図る。 パワー半導体はウェハにトランジスタを形成するが、その形成方法は「プレーナーゲート構造」と「トレンチゲート構造」があり、電流経路を水平方向に作るプレーナーゲート構造に対し、トレンチゲート構造はウェハに溝(トレンチ)を掘り…