富士電機 パワー半導体「Xシリーズ」1GBモジュールのサンプル出荷を開始

2015年8月26日

富士電機は、パワー半導体の新製品として、第7世代「Xシリーズ」IGBTモジュールのサンプル出荷を8月から開始した。定格電圧は650、1200、1700Vの3機種。 新製品は、IGBT素子およびダイオード素子の厚みを薄くし微細化することで、素子構造を最適化。これにより、従来製品(同社第6世代「Vシリーズ」)に比べてインバータ動作時の電力損失を低減し、搭載機器の省エネと電力コスト削減に貢献する。 また、新たに開発した絶縁基板を適用し、モジュールの放熱性を向上。電力損失低減と併せて発熱を抑制することで、従来モジュールに比べて約36%の小型化を達成している。 さらに連続動作時の最大保証温度を従来の15…