三菱電機は、次世代パワー半導体材料として期待されているＳｉＣ（炭化ケイ素）デバイスを適用した定格１２００Ｖ／75Ａのパワーモジュールを開発した。出力５ｋＷの太陽光発電システム向けパワーコンディショナで国内最高の電力変換効率98・０％を実証し
た。
また、電力を制御するトランジスタにはＳｉＣ―ＭＯＳＦＥＴを、ダイオードにはＳｉＣ―ＳＢＤを適用しており、ＳｉＣデバイスの高速動作特性を活かしたスイッチング損失を低減する。
高耐圧特性を活かした導通損失の低減により、Ｓｉデバイスのパワーモジュールに比べ、５ｋＷ定格出力時の損失を半減できる。