三社電機製作所、1700V耐圧SiC MOSFETディスクリート開発

三社電機製作所は、1700V耐圧のSiC MOSFETディスクリートを開発した。SiC（シリコンカーバイド）パワーデバイスは、従来のシリコンデバイスを超える低損失かつ高速動作が可能で、省エネルギー化のキーデバイスとして注目されている。
新製品は、既存の1200V耐圧製品に加わる高耐圧ラインアップとして、産業用インバーターやスイッチング電源、各種高周波電源など、さらなる高出力用途に対応。還流ダイオード機能を内蔵したDioMOSチップを採用し、4ピン構造にすることで、高速かつ低損失でノイズの少ない動作を実現した。
また、高温動作時でも低いオン抵抗を維持し、長い短絡耐量時間を確保するため、保護機能の設計が容易になる。ゲートのしきい値電圧を4.0V（標準値）と高く設定しており、ノイズによる誤動作に強いチップとなっている。

https://www.sansha.co.jp/news/2025/4121