昭和電工は、パワー半導体モジュールのゲートドライバ用フォトカプラーやIoT関連各種センサに用いられる赤外LEDチップの製品ラインアップを拡充した。
同社の赤外LEDは、LPE法の標準型LED、MOCVD法の透過型および反射型LEDの3種類で展開。低電流域での出力の立ち上りや高速応答性に優れていることなどから、高信頼性が要求される産業機器・車載・医療・セキュリティ用途などで広く用いられている。
反射型LEDは、発光層の下にミラー層を形成し、光を真上方向に反射させることで発光出力を高めたLEDチップで、従来、産業機器用光電センサなどに採用されているが、今回、同技術を発展させ、「ダブルジャンクション反射型LED」「P-アップ反射型LED」の2製品を追加した。
「ダブルジャンクション反射型LED」は、発光層を2層にしたチップで、従来の反射型LEDチップの2倍近い出力を実現。生体認証や監視カメラ、バーチャルリアリティ、車載センサなど高出力が求められる用途に適している。
「P-アップ反射型LED」は、反射型LEDで主流のN-アップ構造と極性を逆にした製品。赤外LEDで広く用いられているLPE法ではP-アップ型が主流で、同じ回路設計で高出力モジュールを開発したいというニーズに対応した。
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