東ソーは、窒化ガリウム（GaN）スパッタリングターゲット材を開発し、同社グループの東ソー・スペシャリティマテリアル（山形県山形市）で製造装置を完工し、2024年9月から商業運転を開始した。
GaN半導体製造時の薄膜形成方法はCVD法（気相成長法）が主流で、設備や材料コストの高さが課題だったが、同社は製造コストの低いスパッタリング法への置換えに向けたターゲット材を開発。GaNターゲット材は、独自の合成・焼結技術によって純度が高く、CVD法と同等の高結晶性GaNの成膜が可能となっている。
東ソー、山形県山形市でGaNスパッタリングターゲット材の製造装置を完工＆製造開始
