富士電機はパワー半導体として、スーパージャンクションMOSFET「Super J MOS S2／S2FDシリーズ」を発売した。
S2シリーズは、従来製品（S1シリーズ）との同一チップ面積比較で、通電時の抵抗を約25％低減し、搭載機器の省エネと電力コスト削減に貢献、内蔵ダイオードを高速化しスイッチング損失を低減する。
S2FDシリーズは、内蔵ダイオードのスイッチングオフ時にかかる時間（リカバリータイム）がS2シリーズと比べ、約50％短縮、内蔵ダイオードが使われるインバータ回路に適用すると、スイッチング動作時の損失を低減し、スイッチング時、瞬間的に生じる大電圧（サージ電圧）も抑制、搭載機器の省エネと信頼性向上に貢献する。