- 2020年11月18日
富士電機 大容量IGBTモジュール量産スタート、電力損失低減を実現
富士電機は、鉄道市場向けに、電力損失を低減し省エネを実現する大容量IGBTモジュール「HPnC」を開発し、量産を開始した。電気鉄道向けの市場は、今後年平均6％で成長し、2023年には500〜600億円規模に伸長すると同社では見ており、今後、新製品をグ […]
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「igbt」の検索結果63件
igbt
- 2020年9月16日
三菱電機 IGBTモジュール5品種、再生エネ用途に最適化
三菱電機はパワー半導体の新製品として、「IGBTモジュールTシリーズ産業用LV100タイプ」5品種を9月から順次販売を開始した。 サンプル価格は、4万6000円〜6万8000円。 鉄道・電力用途で広く使用され汎用性が高く、高い電流密度を実現可能な共通 […]
- 2020年6月24日
三菱電機 パワー半導体新製品、サンプル提供開始
三菱電機は、車載充電器や太陽光発電などの高電圧での電力変換を必要とする電源システム向けに、パワー半導体の新製品「SiC-MOSFET 1200V-Nシリーズ」6品種のサンプルを7月から提供開始する。 近年、省エネや環境保護の観点から、電力損失の大幅低 […]
- 2019年8月21日
富士電機 IGBTモジュール系列拡大、1700V耐圧製品サンプル出荷
富士電機は、第7世代「Xシリーズ」IGBT（絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）モジュールの系列を拡大し、1700V耐圧製品のサンプル出荷を開始した。 IGBTモジュールは、モーター駆動用インバータ、無停電電源装置、風力・太陽光発電設備用パワーコンディ […]
- 2019年8月7日
三菱電機 半導体・デバイス第一事業部長 山崎氏に聞く、急伸するパワー半導体
三菱電機 半導体・デバイス事業本部 執行役員 半導体・デバイス第一事業部長 山崎大樹氏に聞く IGBT、IPMで世界を牽引 世界的にCO2削減や省エネに向けた制御の高度化が強く叫ばれるなか、そのキーデバイスとなるパワー半導体が活況だ。エネルギーを効率 […]
- 2019年7月17日
【インタビュー】三菱電機 半導体・デバイス事業本部 山崎事業部長「IGBTとIPMで世界を牽引」
世界的にＣＯ２削減や省エネに向けた制御の高度化が強く叫ばれるなか、そのキーデバイスとなるパワー半導体が活況だ。エネルギーを効率よく使うための電源制御に特化し、産業機器や家電、車載などで需要が急拡大している。三菱電機はパワー半導体のトップメーカーのひ […]
- 2019年4月17日
富士電機 海外向け大容量UPS、最大8000kVAシステムも
富士電機は、海外向けに大容量無停電電源装置（UPS）「7400WX-T3U」を発売した。 近年、大手クラウドプロバイダーの多い北米やアジアを中心に、超大型データセンターの建設が増大しており、UPSの世界市場規模は拡大の一途を辿っている。このようなデー […]
- 2018年9月19日
富士電機 RC-IGBTモジュール サンプル出荷開始、従来比40％小型化
富士電機は、パワー半導体の新製品として、産業機器用RC-IGBTモジュールのサンプル出荷を9月から順次開始した。 新製品は、2015年に発売した第7世代「Xシリーズ」IGBTモジュールに、RC-IGBT素子を使用。1200V耐圧製品からサンプル出荷を […]
- 2018年7月4日
OKIとシルバコ、パワーデバイス搭載回路向け「SPICEモデリングサービス」で協業、提供開始
自動車のEV化、家電の省電力化などに向けた最先端回路設計を高精度で実現 OKIグループの信頼性評価と環境保全の技術サービスを展開するOKIエンジニアリング（東京都練馬区）と、半導体デバイス向けSPICEモデリング(注1)のリーディング・カンパニーであ […]
- 2018年5月23日
ローム 650V耐圧IGBT 業界トップクラスの高効率とソフトスイッチング両立
ロームは、UPS（無停電電源装置）や溶接機、パワーコンディショナーなどの産業機器や、エアコン、IHなどの民生機器の汎用インバータ・コンバータでの電力変換に最適な650V耐圧IGBT「RGTVシリーズ（短絡耐量保持版）」「RGWシリーズ（高速スイッチン […]
- 2018年5月23日
グローバル電子 リフロー可能の温度スイッチ 熱暴走を保護
グローバル電子（東京都新宿区）は、スイス・シュルター社製「温度ヒューズRTSシリーズ」の国内販売を開始した。「RTS」は「Reflowable Thermal Switch」の略で、リフロー可能な温度スイッチの意味。 同シリーズは最高260℃の温度プ […]
- 2018年4月18日
ローム 筑後工場に新棟建設 SiCパワーデバイス生産強化 生産能力25年に16倍
ロームは、「SiCパワーデバイス」の事業戦略発表会を行い、電気自動車などに使用するSiCウェハ・デバイスの生産能力の増強を加速すると発表した。 SiCパワーデバイスは、電力変換の際の損失を減らすことができ、従来のSi-IGBTに比べてスイッチング損失 […]
- 2017年9月20日
インフィニオンテクノロジーズジャパン グローバルな開発・生産で顧客と密着
需要拡大のパワー半導体で世界トップ 電力の制御や変換などをつかさどり、世界的に需要が拡大するパワー半導体。パワー半導体の世界トップシェアのインフィニオンテクノロジーズは、フルラインアップの製品力、世界に広がる製造・サービス拠点に加え、SiCなど顧客と […]
- 2017年7月12日
富士電機 パワー半導体 世界最高レベルの低抵抗
富士電機は、世界最高レベルの低抵抗を実現し、パワエレ機器の大幅な省エネに寄与するパワー半導体「トレンチゲート構造SiC-MOSFET（電界効果トランジスタ）」を開発した。2017年度中をめどに、SiC-MOSFETとSiC-SBD（ショットキーバリア […]
- 2017年2月22日
イートン・エレクトリック・ジャパン ハイブリッド直流コンタクタ 「DILDC300／600」
直流1000Vで長寿命 イートン・エレクトリック・ジャパンは、幅広い用途に対応した配電制御機器をそろえている。 新製品のハイブリッド直流コンタクタ「DILDC300／600」は、消弧用接点と絶縁開放用接点を直列に接続して接点をハイブリッド化するととも […]
- 2016年3月30日
ルネサスエレクトロニクス パワー半導体開発 第8世代IGBT G8Hシリーズ」の販売を開始 電力変換損失を極小化
ルネサスエレクトロニクスは、太陽光発電のパワーコンディショナやUPS（無停電電源）システムのインバータ用途向けのパワー半導体として、電力変換損失を極小化し、システムの電力効率を向上する第8世代IGBT（Insulated Gate Bipolar T […]
- 2016年1月13日
富士電機 高速ディスクリートIGBT「High-Speed Wシリーズ」発売 電力損失40％低減
富士電機は、パワー半導体の新製品として、高速ディスクリートIGBT「High-Speed Wシリーズ」を発売した。 同製品は、IGBTチップを薄くして微細化することで、従来製品に比べて、スイッチング動作時の電力損失（ターンオフ損失）を約40％低減。さ […]
- 2015年11月4日
新電元工業と三菱電機 インバータシステム向けパワーモジュールで協力
産業用デバイス分野での企業間協力が広がっている。インバータシステム分野では、新電元工業が開発した「コンバータ・ブレーキ パワーモジュール」と、三菱電機が開発した「超小型DIPIPM Ver.6」が基板実装の高さなどをそろえることで、顧客の利便性向上に […]
- 2015年8月26日
富士電機 パワー半導体「Xシリーズ」1GBモジュールのサンプル出荷を開始
富士電機は、パワー半導体の新製品として、第７世代「Ｘシリーズ」ＩＧＢＴモジュールのサンプル出荷を８月から開始した。定格電圧は６５０、１２００、１７００Ｖの３機種。 新製品は、ＩＧＢＴ素子およびダイオード素子の厚みを薄くし微細化することで、素子構造を最 […]
- 2015年8月19日
富士電機 大容量無停電電源装置(UPS)「7000HX-T3U」を発売 業界最高レベルの変換効率
富士電機は、米国の安全規格ＵＬに適合した大容量無停電電源装置（ＵＰＳ）「７０００ＨＸ―Ｔ３Ｕ」を発売した。 新製品は、独自の逆阻止ＩＧＢＴを用いた「３レベル電力変換回路」を適用し、業界最高レベルの９７・５％の装置変換効率を実現しており、低負荷（負荷率 […]
